Strona w budowie, zapraszamy wkrótce...

Zapraszamy już za:

[wpdevart_countdown text_for_day="Dni" text_for_hour="Godzin" text_for_minut="Minut" text_for_second="Sekund" countdown_end_type="date" font_color="#000000" hide_on_mobile="show" redirect_url="" end_date="21-09-2020 12:00" start_time="1600339301" end_time="0,1,1" action_end_time="hide" content_position="center" top_ditance="10" bottom_distance="10" ][/wpdevart_countdown]

Strona w budowie, zapraszamy wkrótce...

SK Hynix prezentuje 300-warstwową pamięć 3D NAND 8. generacji, która oferuje niższe koszty i wyższą wydajność

Najnowsza pamięć NAND firmy SK Hynix umożliwi tworzenie szybszych i bardziej pojemnych nośników SSD.

Podczas konferencji ISSCC 2023 firma SK Hynix ujawniła swoją technologię 3D NAND 8. generacji. Choć firma zachowała wiele informacji na temat tej pamięci NAND dla siebie, to potwierdziła, że ich nowa pamięć NAND charakteryzuje się ponad 300 aktywnymi warstwami i że dzięki niej SK Hynix będzie w stanie zwiększyć wydajność przyszłych nośników SSD, a także zaoferować klientom niższe ceny per-TB NAND.

Początkowe układy SK Hynix 8th Gen 300+ layer NAND będą dostępne w pojemnościach 1Tb (128GB) z komórkami TLC (3 bity na komórkę) NAND. Układy te będą oferować użytkownikom gęstość bitową na poziomie 20Gb/mm2 i maksymalną przepustowość 194 MB/s, czyli o 18% wyższą niż 238-warstwowa pamięć NAND 7. generacji.

Usprawnienia technologiczne, które znajdą się w pamięci SK Hynix 8th Generation NAND obejmują.

  • Funkcja Triple-Verify Program (TPGM), która zawęża rozkład napięcia progowego komórek i zmniejsza tPROG (czas wykonywania programu) o 10%, co przekłada się na wyższą wydajność
  • Adaptive Unselected String Pre-Charge (AUSP) – kolejna procedura pozwalająca zmniejszyć tPROG o około 2%
  • All-Pass Rising (APR) – schemat skracający tR (czas odczytu) o około 2% i skracający czas narastania linii słowa
  • Technika PDS (Programmed Dummy String), która skraca czas ustalania płaszczyzny dla tPROG i tR poprzez zmniejszenie obciążenia pojemności kanału
  • Funkcja PLRR (Plane-Level Read Retry) umożliwiająca zmianę poziomu odczytu płaszczyzny bez przerywania innych, co pozwala na natychmiastowe wydawanie kolejnych poleceń odczytu i poprawia jakość usług (QoS), a tym samym wydajność odczytu.

Dzięki najnowszym kościom NAND, które oferują użytkownikom blisko 20% wzrost maksymalnej przepustowości, możemy być pewni, że producenci wysokowydajnych dysków SSD będą przechodzić na nowsze pamięci NAND, aby zapewnić szybkie prędkości I/O. Będzie to szczególnie istotne dla producentów, którzy chcą tworzyć najszybsze dyski SSD PCIe 5.0.

Na razie nie wiadomo, kiedy pamięć 3D NAND ósmej generacji firmy SK Hynix trafi na rynek, ale prawdopodobnie pojawi się pod koniec 2024 lub 2025 roku. W chwili obecnej 8. generacja pamięci NAND firmy SK Hynix znajduje się dopiero w fazie rozwoju prototypu.

 

Dodaj komentarz

Proszę wpisać swój komentarz!
Proszę podać swoje imię tutaj

POLECANE

3,272FaniLubię
10,608ObserwującyObserwuj
1,570SubskrybującySubskrybuj

NOWE WYDANIE

POLECANE

NAJNOWSZE