Bardzo często mówiąc o półprzewodnikach, zwłaszcza ich strategicznej roli, myślimy o procesorach. Tymczasem drugim ważnym elementem półprzewodnikowej układanki są pamięci.
Chiny nadrabiają rozwój technologiczny od pewnego czasu, a pamięci nie są tu wyjątkiem. Potentaci na tym rynku, koreańskie firmy Samsung i SK Hynix muszą stawić czoła intensywnej konkurencji ze strony chińskich firm, a przepaść technologiczna stale się zmniejsza. Jednak, jak wskazują analitycy TrendForce, to nadal przynajmniej dwa lata rozwoju w pamięci NAND Flash w stosunku do wiodących światowych przedsiębiorstw. Jednakże w przypadku pamięci DRAM nadal utrzymuje się pierwotna luka technologiczna wynosząca około pięciu lat. To jednak nie oznacza, że sojusznicy USA w Azji mogą spać spokojnie.
Analitycy twierdzą, że przyczyną zmniejszenia się luki technologicznej między chińskimi i koreańskimi firmami w obszarze pamięci NAND wynika ze stosunkowo niższego progu dla tej technologii względem DRAM. To oznacza, że nadrobienie dystansu przez chińskie firmy było po prostu technologicznie łatwiejsze.
Czołowym chińskim wytwórcą pamięci jest YMTC (Yangtze Memory Technologies Co.). Producent ten w ubiegłym roku wprowadził pamięć 3D TLC NAND Flash czwartej generacji, nazwaną X3-9070, opartą na architekturze Xtacking 3.0, co sprawia, że firma jest właściwie zdolna niemal do konkurowania z najlepszymi. Jednak, by to osiągnąć, musiała korzystać z poważnego wsparcia państwowego dla sektora pamięci. Przyjmuje się, że tylko w roku 2022 inwestycje chińskiego rządu i państwowych funduszy inwestycyjnych wyniosły około 50 miliardów juanów.
Analitycy twierdzą także, że zbliżające się trudne do przekroczenia granice technologiczne w produkcji półprzewodników mogą sprawić, że Chiny zyskają dodatkowy czas na nadrabianie dystansu technologicznego.
