Strona w budowie, zapraszamy wkrótce...

Zapraszamy już za:

[wpdevart_countdown text_for_day="Dni" text_for_hour="Godzin" text_for_minut="Minut" text_for_second="Sekund" countdown_end_type="date" font_color="#000000" hide_on_mobile="show" redirect_url="" end_date="21-09-2020 12:00" start_time="1600339301" end_time="0,1,1" action_end_time="hide" content_position="center" top_ditance="10" bottom_distance="10" ][/wpdevart_countdown]

Strona w budowie, zapraszamy wkrótce...

Technologia 3D X-DRAM firmy NEO Semiconductor może zmienić rynek pamięci

NEO Semiconductor ujawniło właśnie swoją nową technologię 3D X-DRAM, ujawniając techniki, które mogą masowo zwiększyć gęstość układów pamięci DRAM, co pozwoli na transformację rynku pamięci.

Dzięki 3D X-DRAM, NEO Semiconductor uważa, że może stworzyć 128Gb (16GB) chipów DRAM, zapewniając oszałamiający 8-krotny wzrost gęstości w stosunku do dzisiejszych chipów 2D DRAM. Jeszcze lepiej, te moduły DRAM mogą być tworzone przy użyciu technik produkcyjnych podobnych do 3D NAND, przy czym NEO Semiconductor obiecuje “szybkie, gęste, tanie i wysokowydajne rozwiązanie”.

3D X-DRAM firmy NEO Semiconductor to pierwsza w swoim rodzaju struktura macierzy komórek 3D o strukturze NAND-like DRAM, oparta na technologii bezkondensatorowych komórek typu “floating body”. Może być produkowana przy użyciu dzisiejszego procesu 3D przypominającego NAND i wymaga tylko jednej maski do zdefiniowania otworów linii bitów i uformowania struktury komórkowej wewnątrz otworów. Taka struktura komórkowa upraszcza etapy procesu i zapewnia wysoką prędkość, wysoką gęstość, niskie koszty i wysoką wydajność. Na podstawie szacunków firmy Neo, technologia 3D X-DRAM może osiągnąć gęstość 128 Gb przy 230 warstwach, co stanowi 8-krotność dzisiejszej gęstości DRAM.

Dzięki 3D X-DRAM, przyszłe serwery, komputery PC, komponenty i inne urządzenia obliczeniowe będą mogły być dostarczane ze znacznie większymi pojemnościami pamięci. Ma to implikacje dla całego przemysłu, ponieważ dostęp do większej ilości pamięci umożliwi tworzenie bardziej zaawansowanego oprogramowania, pozwoli naukowcom na wykorzystanie większych zbiorów danych w ich badaniach i będzie miało ogromny wpływ na przyszłość sprzętu do sztucznej inteligencji (gdzie wykorzystanie większych zbiorów danych treningowych jest bardzo ważne).

Dzięki 3D X-DRAM, NEO Semiconductor oczekuje, że chipy DRAM o pojemności 1Tb (256GB) będą możliwe do wyprodukowania przed 2035 rokiem. To poważna sprawa, biorąc pod uwagę fakt, że większość nowych komputerów PC jest dostarczana z mniej niż 16GB pamięci całkowitej. Jeśli technologia 3D X-DRAM firmy Neo Semiconductor się przyjmie, cały przemysł PC ulegnie zmianie.

Dodaj komentarz

Proszę wpisać swój komentarz!
Proszę podać swoje imię tutaj

POLECANE

3,272FaniLubię
10,608ObserwującyObserwuj
1,570SubskrybującySubskrybuj

NOWE WYDANIE

POLECANE

NAJNOWSZE