Według źródeł branżowych cytowanych przez TechNews referowanych przez TrendForce, spodziewane jest, że Micron zainwestuje od 600 do 800 miliardów jenów w nowy obiekt, zlokalizowany w sąsiedztwie istniejącego obiektu Fab15.
Micron planuje zbudować nową fabrykę pamięci DRAM w Hiroszimie, której rozpoczęcie budowy zaplanowano na początek 2026, a oddana do użytku pod koniec 2027 roku.
Początkowo nowy zakład będzie skupiał się na produkcji pamięci DRAM, z wyłączeniem pakowania i testowania backendu, ze szczególnym naciskiem na produkty HBM. Nowa fabryka Micron w Hiroszimie będzie pierwszą, która zastosuje sprzęt do litografii w ekstremalnym ultrafiolecie (EUV), produkując nowy, zaawansowany proces 1-Gamma DRAM DRAM opracowany we współpracy Tajwanu i Japonii.
Następnie przejdzie również na proces 1-Delta, co doprowadzi do znacznego zwiększenia liczby narzędzi EUV i większej liczby pomieszczeń czystych. Jeśli chodzi o Fab 15 w Hiroszimie, służy on jako zakład masowej produkcji dla HBM, obsługujący produkcję płytek od przodu i procesy Through-Silicon Via (TSV), podczas gdy procesy układania i testowania na zapleczu są zarządzane przez zaplecza produkcyjnego w Taichung w Tajwanie.
Z raportów rynkowych cytowanych przez TechNews wynika również, że w związku z rosnącym popytem na HBM, zakłady Micron na Tajwanie rozpoczną produkcję HBM i procesy TSV od przyszłego roku.
Micron planuje również utrzymać udział w rynku swojej linii produktów HBM na poziomie 20–25% do 2025 r., mając na uwadze zwiększenie go w celu dopasowania do poziomu tradycyjnych pamięci DRAM. Nowa fabryka w Hiroszimie otrzymała także dotacje od rządu Japonii. W październiku ubiegłego roku japońskie Ministerstwo Gospodarki, Handlu i Przemysłu ogłosiło dotacje w łącznej wysokości 192 miliardów jenów na wydatki na budowę i wyposażenie Micron. Dodatkowo udzielono dotacji w wysokości do 8,87 mld JPY na koszty produkcji i 25 mld JPY na koszty badań i rozwoju.
