W środę Samsung poinformował, że opracował nowe układy pamięci DDR5 o pojemności 16 Gb o transferze 7200 MT/s.
Nowe układy będą produkowane masowo w przyszłym roku, przy użyciu najnowszej technologii produkcji pamięci DRAM 12 nm. Obecnie firma sprawdza poprawność swoich najnowszych pamięci z AMD. To może sugerować, że AMD planuje wprowadzić obsługę tego przedziału prędkości wkrótce.
Oprócz tego, że są szybkie, nowe układy pamięci Samsunga, jak podaje producentm zużywają do 23% mniej energii niż ich poprzednicy i umożliwiają o 20% wyższą produktywność. W praktyce oznacza to, że są o około 20% mniejsze w porównaniu z poprzednikami. To natomiast pozwala na “wykrojenie” większej ich liczby z jednego wafla krzemowego, a tym samym zmniejszenie kosztu produkcji.
Zwiększona gęstość bitów i wyższe domyślne szybkości przesyłania danych oznaczają, że 12-nanometrowa technologia produkcji pamięci DRAM Samsunga umożliwi firmie tworzenie w przyszłości układów z pamięcią o większej gęstości, a także urządzeń o prędkości wyższej niż 7200 MT/s.
Węzeł produkcyjny 12 nm firmy Samsung to piąta generacja procesu produkcyjnego klasy 10 nm dla pamięci DRAM i technologia drugiej generacji dla pamięci, która wykorzystuje tzw. litografię w ekstremalnym ultrafiolecie (EUV). Zastosowanie wielu warstw i EUV umożliwia Samsungowi szybsze drukowanie obwodów z większą precyzją, co może przełożyć się na niższe koszty, a także wyższą wydajność i energooszczędność.
