Samsung Electronics podał, że opracował HBM3E 12H, czyli pierwszą w branży 12-warstwową pamięć HBM3E DRAM i zarazem produkt HBM o największej pojemności w dotychczasowej historii.
Pamięć HBM3E 12H firmy Samsung zapewnia rekordowo wysoką przepustowość do 1280 gigabajtów na sekundę (GB/s) i wiodącą w branży pojemność 36 gigabajtów (GB). W porównaniu do 8-warstwowej HBM3 8H, oba aspekty poprawiły się o ponad 50%.
“Dostawcy usług AI w branży coraz częściej wymagają pamięci HBM o większej pojemności, a nasz nowy produkt HBM3E 12H został zaprojektowany, aby odpowiedzieć na to zapotrzebowanie” – powiedział Yongcheol Bae, wiceprezes wykonawczy ds. planowania produktów pamięci w Samsung Electronics.
W HBM3E 12H zastosowano zaawansowaną, nieprzewodzącą folię kompresyjną (TC NCF), dzięki czemu produkty 12-warstwowe mają tę samą specyfikację wysokości co produkty 8-warstwowe. Oczekuje się, że technologia ta przyniesie dodatkowe korzyści, zwłaszcza w przypadku wyższych stosów, ponieważ branża stara się złagodzić wypaczenia matryc chipów, które występują w przypadku cieńszych matryc.
Samsung kontynuował obniżanie grubości materiału NCF i osiągnął najmniejszą w branży szczelinę między chipami na poziomie siedmiu mikrometrów (µm), jednocześnie eliminując puste przestrzenie między warstwami. Wysiłki te zaowocowały zwiększoną gęstością pionową o ponad 20% w porównaniu do produktu HBM3 8H.
Oczekuje się, że HBM3E 12H będzie optymalnym rozwiązaniem dla przyszłych systemów wymagających większej ilości pamięci. Jej wyższa wydajność i pojemność pozwoli klientom na bardziej elastyczne zarządzanie zasobami i zmniejszenie całkowitego kosztu posiadania (TCO) w centrach danych. Szacuje się, że w przypadku zastosowania pamięci HBM3 8H w aplikacjach AI, średnia prędkość szkolenia AI może zostać zwiększona o 34%.
Samsung rozpoczął próbne dostawy pamięci HBM3E 12H do klientów, a masowa produkcja planowana jest na pierwszą połowę tego roku.
