Samsung Foundry i Synopsys ogłosiły, że Samsung wykonał swój pierwszy testowy układ scalony przy użyciu technologii wytwarzania 3GAA (3 nm), która wykorzystuje tranzystory typu gate all-around (GAA). Układy testowe zostały zaprojektowane przy użyciu narzędzi do automatyzacji projektowania elektronicznego (EDA) Synopsys Fusion Design Platform.
Proces produkcyjny 3GAA firmy Samsung wykorzystuje zupełnie nowe tranzystory typu gate all-around (GAA), które zapewniają mniejszą utratę energii, wyższą wydajność i większą gęstość tranzystorów niż dotychczas. Jedną z korzyści zapewnianych przez tranzystory GAA jest możliwość dostrojenia ich wydajności i zużycia energii. Aby jednak skorzystać z technologii 3GAA firmy Samsung, trzeba użyć zupełnie nowych narzędzi do projektowania, co zapewnił Synopsys. Nowe oprogramowanie firmy Synopsys uwzględnia nowe, złożone metodologie rozmieszczania elementów układu.
Pierwszą firmą, która użyje nowej technologii produkcyjnej w swoich układach będzie prawdopodobnie własny dział LSI firmy Samsung, który projektuje SoC dla smartfonów, komputerów PC, telewizorów i innych produktów Samsunga.
„Nasz najnowszy, zaawansowany proces 3 nm GAA skorzystał z naszej szerokiej współpracy z firmą Synopsys, a przyspieszona gotowość platformy projektowej Fusion do umożliwienia efektywnej realizacji obietnicy procesu 3 nm jest świadectwem znaczenia i korzyści tych kluczowych sojuszy” – powiedział Sangyun Kim, wiceprezes zespołu Foundry Design Technology w Samsung Electronics.
Tak więc, w najbliższym czasie należy oczekiwać kolejnego skoku technologicznego w dziedzinie chipów, a konkretnie sposobach ich produkcji. 3 nm litografia to, w kontekście finalnego produktu, możliwość pracy na niższych napięciach, a więc i większa oszczędność energii. Główny konkurent Samsunga na polu produkcji chipów, TSMC, także szykuje swój proces 3 nm, na którego zresztą już ma klientów:
