Samsung Electronics opracowuje układ sztucznej inteligencji nowej generacji Mach-1, za pomocą którego południowokoreański gigant technologiczny zamierza pokonać swojego rywala SK Hynix Inc. dominującego w segmencie zaawansowanych pamięci o wysokiej przepustowości (HBM).
Kyung Kye-hyun, szef działu półprzewodników Samsunga, że chip Mach-1 AI jest obecnie opracowywany, a firma planuje wyprodukować prototyp do końca roku.
“Obecne systemy sztucznej inteligencji mają problemy z wydajnością i zasilaniem ze względu na wąskie gardła pamięci. Zajmiemy się tym problemem poprzez utworzenie laboratorium obliczeniowego AGI i osiągnięcie innowacji w architekturze AI. Mach-1 jest w centrum naszych wysiłków badawczo-rozwojowych” – powiedział podczas dorocznego walnego zgromadzenia Samsunga, które odbyło się w Suwon, na zachód od Seulu, gdzie znajduje się siedziba firmy.
AGI, skrót od sztucznej inteligencji ogólnej, to rodzaj sztucznej inteligencji, która może radzić sobie równie dobrze lub lepiej niż ludzie w szerokim zakresie zadań poznawczych.
Przedstawiciele branży zgodzili sie, że jest to pierwszy raz, kiedy szef półprzewodników Samsunga upublicznia swoje prace nad chipem sztucznej inteligencji nowej generacji.
Mach-1 to akcelerator AI w formie systemu na chipie (SoC), który według Samsunga redukuje wąskie gardło między procesorem graficznym (GPU) a układami HBM.
“Mach-1 umożliwi wnioskowanie w oparciu o duże modele językowe (LLM) nawet przy użyciu pamięci o niskim poborze mocy zamiast energochłonnych układów HBM – dodał Kye-hyun. – Stworzymy prototypowe chipy (Mach-1) do końca tego roku. Następnie na początku przyszłego roku zobaczymy systemy AI wykorzystujące nasze najnowsze chipy AI”.
HBM stał się istotną częścią boomu na sztuczną inteligencję, ponieważ zapewnia bardzo potrzebną większą szybkość przetwarzania w porównaniu z tradycyjnymi układami pamięci.
Pozostający w tyle w segmencie układów HBM Samsung intensywnie inwestuje w HBM, aby rywalizować z SK Hynix i innymi graczami na rynku pamięci.
W zeszłym miesiącu Samsung ogłosił, że opracował HBM3E 12H, pierwszy w branży 12-warstwowy HBM3E DRAM i produkt HBM o największej pojemności w branży. Samsung zapowiedział, że rozpocznie masową produkcję układu w pierwszej połowie tego roku.
