Samsung Electronics pracuje nad zaawansowaną technologią 3nm gate-all-around (GAA). Opracowanie podstaw to jedno, ale uruchomienie produkcji to zupełnie inne wyzwanie i, jak donoszą źródła, w tym DigiTimes, koreański gigant mierzy się właśnie z tym problemem.
Tranzystory Gate-all-around lub GAA to taki schemat tranzystora, w którym bramka styka się z kanałem ze wszystkich stron. Proces 3 nm GAA firmy Samsung Electronics jest konkurencją w stosunku do technologii 3 nm FinFET firmy TSMC. Samsung miał rozpocząć produkcję w tym właśnie procesie do 2022 r., ale może napotkać dodatkowe opóźnienia. TSMC planuje rozpocząć masową produkcję technologii procesowej 3 nm FinFET już w trzecim kwartale 2022 roku.
Intel i Apple już rozpoczęły składanie zamówień w TSMC na swoje układy tworzone właśnie w procesie FinFET 3 nm, podczas gdy Samsung Electronics ujawnił program nakładów inwestycyjnych o wartości 205,5 miliarda dolarów, który będzie obowiązywał przez najbliższe trzy lata. Samsung planuje przeznaczyć te środki na technologie chipowe.
Samsung wprowadzi swoją pierwszą generację 3 nm GAA Early i drugą generację 32 GAA Plus (odpowiednio GAE i GAP). Producent informował jednak wcześniej, że proces 3 nm GAE wejdzie w to, co nazywają „etapem produkcji ryzyka” pod koniec 2020 roku, a produkcja masowa nastąpi w tym roku. Niestety, jak wskazują najnowsze doniesienia, całość planu może się nieco przesunąć. To oznaczałoby zatem, że TSMC może nieco uciec Samsungowi jeśli chodzi o zaawansowaną produkcję chipów.
