Aby nadążyć za nieustającym wzrostem popytu na chipy, globalny przemysł produkcji półprzewodników ma zwiększyć moce produkcyjne o 6% w 2024 r. i odnotować 7% wzrost w 2025 r., osiągając rekordową wydajność 33,7 mln wafli miesięcznie (wpm: 8-calowy odpowiednik).
Przewidywania ogłosiła firma SEMI w swoim najnowszym kwartalnym raporcie World Fab Forecast.
Oczekuje się, że wiodąca wydajność dla węzłów 5 nm i poniżej wzrośnie o 13% w 2024 r., głównie dzięki generatywnej sztucznej inteligencji (AI) do szkolenia centrów danych, wnioskowania i najnowocześniejszych urządzeń. Aby zwiększyć wydajność przetwarzania, producenci chipów, w tym Intel, Samsung i TSMC, są gotowi rozpocząć produkcję chipów 2 nm Gate-All-Around (GAA), zwiększając całkowity wzrost mocy produkcyjnych o 17% w 2025 roku.
“Rozprzestrzenianie się przetwarzania AI, od przetwarzania w chmurze po urządzenia brzegowe, napędza wyścig w opracowywaniu wysokowydajnych chipów i napędza silną ekspansję globalnej zdolności produkcyjnej półprzewodników – powiedział Ajit Manocha, prezes i dyrektor generalny SEMI. – Tworzy to cnotliwy cykl: Sztuczna inteligencja będzie napędzać wzrost zawartości półprzewodników w różnych zastosowaniach, co z kolei zachęci do dalszych inwestycji”.
Rozbudowa mocy produkcyjnych według regionów
Oczekuje się, że chińscy producenci chipów utrzymają dwucyfrowy wzrost mocy produkcyjnych, rejestrując 14% wzrost do 10,1 miliona wpm w 2025 r. – prawie jedną trzecią całej branży – po odnotowaniu 15% wzrostu do 8,85 miliona wpm w 2024 roku. Pomimo potencjalnego ryzyka przekroczenia, region kontynuuje agresywne inwestycje w rozbudowę mocy produkcyjnych, częściowo w celu złagodzenia wpływu niedawnych kontroli eksportu. Główni dostawcy odlewni, w tym Huahong Group, Nexchip, Sien Integrated i SMIC oraz producent pamięci DRAM CXMT, intensywnie inwestują w rozwój zdolności produkcyjnych półprzewodników w regionie.
Oczekuje się, że większość pozostałych głównych regionów produkcji chipów odnotuje wzrost mocy produkcyjnych o nie więcej niż 5% w 2025 roku. Przewiduje się, że Tajwan zajmie drugie miejsce pod względem mocy produkcyjnych w 2025 r., osiągając 5,8 miliona wpm, co oznacza wzrost o 4%, podczas gdy Korea Południowa zajmie trzecie miejsce w przyszłym roku, zwiększając moce produkcyjne o 7% do 5,4 miliona wpm po przekroczeniu poziomu 5 milionów wpm po raz pierwszy w 2024 roku. Oczekuje się, że Japonia, obie Ameryki, Europa i Bliski Wschód oraz Azja Południowo-Wschodnia zwiększą moce produkcyjne półprzewodników odpowiednio o 4,7 mln wpm (3% r/r), 3,2 mln wpm (5% r/r), 2,7 mln wpm (4% r/r) i 1,8 mln wpm (4% r/r).
Rozbudowa mocy produkcyjnych według segmentów
Przewiduje się, że segment odlewniczy, napędzany w dużej mierze przez założenie przez Intela działalności odlewniczej i zwiększenie mocy produkcyjnych w Chinach, zwiększy moce produkcyjne o 11% w 2024 r. i 10% w 2025 r., osiągając 12,7 miliona wpm do 2026 r.
Szybkie wdrażanie pamięci o wysokiej przepustowości (HBM) w celu zaspokojenia rosnącego zapotrzebowania na szybsze procesory wymagane przez serwery AI napędza bezprecedensowy wzrost przepustowości w sektorze pamięci. Eksplozja wdrażania sztucznej inteligencji spowodowała rosnące zapotrzebowanie na gęstsze stosy HBM, przy czym każdy stos integruje obecnie od 8 do 12 kości. W odpowiedzi wiodący producenci pamięci DRAM zwiększają inwestycje w HBM/DRAM. Oczekuje się, że pojemność pamięci DRAM wzrośnie o 9% zarówno w 2024, jak i 2025 roku. Z kolei ożywienie na rynku pamięci 3D NAND pozostaje powolne, przy braku wzrostu pojemności prognozowanego na 2024 r. i 5% wzroście oczekiwanym w 2025 r.
Oczekuje się, że rozwój aplikacji AI w urządzeniach brzegowych zwiększy zawartość pamięci DRAM w smartfonach głównego nurtu z 8 GB do 12 GB, podczas gdy laptopy korzystające z asystentów AI będą potrzebować co najmniej 16 GB pamięci DRAM. Ekspansja sztucznej inteligencji na urządzenia brzegowe również zwiększy popyt na pamięć DRAM.
