Całkiem niedawno światem high-tech wstrząsnęła wiadomość o układzie Kirin 9000S, rzekomo wyprodukowanym w technologii 7 nm. Powodem emocji było to, że układ został zaprojektowany, ale też wyprodukowany w Chinach.
W wyniku amerykańskich sankcji, Huawei pozostaje w sztucznie wytworzonym spowolnieniu rozwojowym. Krajowi wytwórcy półprzewodników nie są bowiem aż tak nowocześni jak TSMC czy Samsung. Jak twierdzi jeden z dyrektorów z branży, Kirin 9000S został wyprodukowany w starszym procesie 14 nm, a nie, jak się spodziewano, 7 nm.
Kirin 9000S, zastosowany po raz pierwszy w Mate 60 Pro Huawei, wywołał debatę w sieci, ale też z pewnością zirytował władze USA. Pierwotnie bowiem twierdzono, że SMIC, chiński producent półprzewodników, wykorzystał technologię 7 nm do masowej produkcji najnowszego SoC. Jednak dyrektor generalny jednej z firm badawczych uważa, że do zapewnienia wydajności najnowszego chipsetu na poziomie 7 nm wykorzystano jedynie specjalne techniki i w rzeczywistości układ został wykonany w znacznie starszym procesie 14 nm.
Czy wszyscy dali się “nabrać”? Chociaż kilka firm badawczych stwierdziło, że najnowszy krzem Huawei to układ 7 nm wyprodukowana przez SMIC, South China Morning Post rozmawiał z dyrektorem generalnym japońskiej firmy badawczej Fomalhaut Techno Solutions, Minatake Mitchellem Kashio. Jego zdaniem, Kirin 9000S nie jest prawdziwym SoC 7 nm, ale 14 nm.
Kilka testów porównawczych pokazało również, że Kirin 9000S uzyskał liczby podobne do tych, jakie osiągnąłby chip wyprodukowany 7 nm, a firma SMIC obsługuje również maszyny DUV (deep ultraviolet, głębokiego ultrafioletu), które pozwalają jej produkować układy w tej litografii. Ponieważ chińska firma nie jest w stanie pozyskać zaawansowanych maszyn produkcyjnych EUV od holenderskiej firmy ASML ze względu na obowiązujące sankcje amerykańskie, przekroczenie pułapu 7 nm może nie być możliwe. Produkcja chipów w procesie 7 nm stanowiłaby również bezpośrednie naruszenie amerykańskich sankcji, przy czym kontrola eksportu miała na celu ograniczenie Chin do technologii 14 nm i 10 lat opóźnienia w stosunku do najnowszej technologii.
