Firma specjalizująca się w projektowaniu i produkcji nowoczesnych technologii oficjalnie otworzyła nowy budynek centrum badawczo-rozwojowego w Zielonce pod Warszawą. Podwojenie rozmiarów parku maszynowego, laboratoriów i biur projektowych pozwoli na przyspieszenie projektowania i przygotowywania do produkcji technologii wysokonapięciowych (HV) dla strategicznego w skali globalnej przemysłu półprzewodnikowego. W nowym budynku R&D znajdzie się 160 nowych stanowisk dla obecnych pracowników tego obszaru.
Nowy obiekt TRUMPF Huettinger to aż 3 800 mkw. nowoczesnej powierzchni, której połowa zostanie przeznaczona na laboratoria. Pozostałą przestrzeń wypełnią biura, warsztaty, magazyn, linie montażowe, stanowiskowa testowe i prototypownia. Dzięki rozbudowie całkowita powierzchnia centrum badawczo-rozwojowego w Zielonce przekroczy 9 200 mkw. i stanie się tym samym jednym z największych tego typu obiektów w regionie. Zatrudnienie znajdą tu m.in. inżynierowie, programiści, elektronicy, mechanicy, energoelektronicy, a także automatycy. Obecnie dział R&D w Polsce liczy blisko 300 wysoko wykwalifikowanych specjalistów.
– Na każdym kroku staramy się podkreślać, że wzrost naszej firmy to nie tylko większa skala działalności, ale przede wszystkim konsekwentne inwestycje w najnowsze technologie, co owocuje wdrażaniem innowacji, które realnie rozwijają know-how i zwiększają możliwości i konkurencyjność naszych klientów. Cieszymy się, że właśnie tu, w Polsce, tworzymy supernowoczesną przestrzeń badawczą dla takich technologii, w której zatrudniamy najlepszych specjalistów. To także dowód na to, że polska myśl technologiczna ma się bardzo dobrze i przyszłość stoi przed nią otworem – mówi Paweł Ozimek, dyrektor generalny TRUMPF Huettinger w Polsce.
Rozbudowa centrum R&D wpisuje się w konsekwentną strategię polskiego oddziału elektroniki TRUMPF, który w ostatnim roku obrotowym zwiększył nakłady finansowe na badania i rozwój o 61% rdr. Wzrost inwestycji w badania i rozwój odzwierciedla zaangażowanie firmy nie tylko w poszukiwanie nowych rozwiązań technologicznych, ale z równie dużą energią wspieranie talentów z wielu krajowych uczelni technicznych.
– Nowoczesne warunki, ambitne wyzwania inżynierskie i satysfakcjonujące wynagrodzenie to dziś podstawa efektywności i innowacyjności. To dla nas zupełnie oczywiste, że aby pozyskać z rynku największe talenty z obszaru inżynieryjnego i badawczego, trzeba zaoferować im przestrzeń do szybkiego rozwoju, a także poczucie sprawczości. Centrum rozbudowaliśmy z myślą o tym, by wybitne jednostki zostały wyposażone w najnowocześniejsze narzędzia, które pomogą im tworzyć najlepsze rozwiązania na rynku, najnowszych światowych technologii półprzewodnikowych, ogniw fotowoltaicznych o najwyższej sprawności czy produkcji płaskich ekranów. Zarówno w skali krajowej, jak i globalnej – podkreśla Rafał Bugyi, prezes TRUMPF Hüttinger GmbH.
Uruchomienie powiększonego centrum badawczo-rozwojowego w Zielonce to kolejny etap dynamicznej ekspansji TRUMPF Huettinger w obrębie aglomeracji warszawskiej. Firma posiada w regionie już 7 budynków, w których projektuje i produkuje nowoczesne rozwiązania dla sektora high-tech. Pod koniec 2023 roku firma otworzyła nowy zakład produkcyjny na warszawskiej Białołęce, a już w tym roku uruchomiła kolejny obiekt w sąsiadującej z Zielonką Kobyłce.
W uroczystym otwarciu nowej inwestycji i towarzyszącym mu symbolicznym przecięciu wstęgi wzięli udział kluczowi przedstawiciele spółki TRUMPF Huettinger oraz gość specjalny, dr Kazuya Nagaseki, Vice President Centrum Innowacji Tokyo Electron Miyagi Limited, będącej jednym ze światowych liderów wytwarzających systemy do produkcji zaawansowanych półprzewodników (pamięci, procesory) i podzespołów dla przemysłu półprzewodnikowego.
