Firma Samsung Electronics poinformowała we wtorek, że rozpoczęła masową produkcję jednoterabitowej, trójpoziomowej, pionowej pamięci NAND, czyli V-NAND, która jest o około 50 procent gęstsza i o 10 procent bardziej energooszczędna niż jej poprzednik który wystartował w 2022 roku.
Tego samego dnia producent układów pamięci ujawnił również swój plan przyspieszenia prac nad rozwojem pamięci NAND o dużej pojemności i wydajności, wymaganych w erze sztucznej inteligencji. Jak podała firma, masowa produkcja czteropoziomowego modelu ogniwa dla dziewiątej generacji V-NAND ma się rozpocząć w drugiej połowie roku.
Samsung nie ujawnił szczegółów, ale źródła branżowe podają, że firma rozpoczęła masową produkcję dziewiątej generacji 290-warstwowych produktów V-NAND o najmniejszym w branży rozmiarze ogniw i najcieńszej formie.
„Jesteśmy podekscytowani możliwością dostarczenia pierwszej w branży pamięci V-NAND dziewiątej generacji, która umożliwi dalszy rozwój przyszłych zastosowań. Aby sprostać zmieniającym się potrzebom rozwiązań flash NAND, Samsung przesunął granice w architekturze ogniw i schemacie operacyjnym naszego produktu nowej generacji” – powiedział Hur Sung-hoi, dyrektor ds. produktów i technologii flash w Samsung Electronics.
Hur dodał, że poprzez najnowszą masową produkcję V-NAND firma zamierza wyznaczyć trend na rynku wydajnych dysków półprzewodnikowych o dużej gęstości, który spełni potrzeby nadchodzącej generacji sztucznej inteligencji.
Aby poprawić jakość i niezawodność nowego produktu, Samsung zastosował innowacje, takie jak unikanie zakłóceń komórek i wydłużanie ich żywotności, a wyeliminowanie dziur w kanałach znacznie zmniejszyło płaską powierzchnię komórek pamięci.
Zaawansowana technologia „wytrawiania otworów kanałowych” firmy Samsung realizuje ścieżki elektronów poprzez układanie warstw formy i maksymalizuje produktywność produkcji, ponieważ umożliwia jednoczesne wiercenie największej w branży liczby warstw komórek w strukturze z podwójnym stosem.
Według firmy Samsung wraz ze wzrostem liczby warstw komórek zdolność do przebijania się przez większą liczbę komórek staje się niezbędna, co wymaga bardziej wyrafinowanych technik trawienia. Samsung podał, że najnowsza pamięć V-NAND jest wyposażona w interfejs flash NAND nowej generacji – Toggle 5.1 – który obsługuje zwiększoną prędkość wprowadzania i wysyłania danych o 33 procent, do 3,2 gigabitów na sekundę.
Posiada również zaawansowaną konstrukcję o niskim poborze mocy mającą na celu poprawę zużycia energii, ponieważ potrzeby klientów w zakresie zmniejszania zużycia energii i emisji gazów cieplarnianych stały się istotne.
Podczas telekonferencji poświęconej wynikom za trzeci kwartał w październiku ubiegłego roku firma Samsung ogłosiła, że zamierza do 2030 r. opracować 1000-warstwowe chipy NAND zapewniające większą gęstość i możliwości przechowywania, aby zyskać popularność na szybko rozwijającym się rynku pamięci flash NAND.
