Wielopoziomowy podsystem pamięci hybrydowej? Brzmi tajemniczo, ale w praktyce sprowadza się do integracji w ramach SoC dwóch typów pamięci RAM.
Firma Apple opatentowała podsystem pamięci hybrydowej, który składa się z co najmniej dwóch typów pamięci: typu DRAM o dużej przepustowości i małej gęstości, a także typu DRAM o niskiej przepustowości i dużej gęstości. Patent może dać wgląd w to, jak Apple widzi przyszłość swoich SoC. Oczywiście, nowy patent podsyci spekulacje, że możemy podobne konstrukcje zobaczyć już jako bezpośrednich następców układu M1, ale tego bym się nie spodziewał – to raczej kwestia jeszcze następnych generacji, chociaż pomysł jest rzeczywiście interesujący.
To, że aktualnie Apple korzysta ze swoich układów M1 jest znaczące nie tylko ze względu na przebudowę całego środowiska pod architekturę ARM, ale też ze względu na nieco inne podejście do stopnia integracji układów w jednym SoC. CPU i dGPU mają własne podsystemy pamięci, podczas gdy w mobilnych SoC zwykle jest dostępna jedna pamięć, dzielona na wszystkie zadania. CPU i GPU muszą w takim przypadku dzielić pojemność pamięci i przepustowość, co może mieć wpływ na wydajność w niektórych zadaniach. Pewnym rozwiązaniem może być właśnie podejście zaproponowane przez Apple w nowym patencie zatytułowanym “Memory system having combined high density, low bandwidth and low density, high bandwidth memories”, co można przetłumaczyć jako “System pamięci łączący pamięć o dużej gęstości i małej przepustowości oraz pamięć o małej gęstości i dużej przepustowości”.
Patent ten opisuje różne układy SoC, które wykorzystują pamięć DRAM dwóch rodzajów: o dużej przepustowości i o dużej pojemności. Patent dotyczy wyłącznie poziomu układu, można więc założyć, że podobne rozwiązanie trafi na rynek w formie wbudowanego, wysoce zintegrowanego układu. Architektura opisana w tym patencie wskazuje, że Apple nie przewiduje użycia standardowych modułów pamięci. O konfigurowalności można więc będzie zapomnieć. Wygląda to trochę tak, jakby Apple chciało połączyć w jeden podsystem pamięci dwa jej rodzaje – jakąś odmianę HBM i bardziej klasyczne DDR.
Oczywiście, patent może być bardzo odległy od realizacji. Daje to jednak możliwość swobodnego korzystania przez SoC z pamięci szybszej lub bardziej pojemnej, w zależności od potrzeb.
https://itreseller.com.pl/itrnewzyski-microsoftu-rosna-korporacja-podsumowuje-czwarty-kwartal-2020-roku-pandemia-przyspieszyla-przejscie-biznesow-do-chmury-wzrosla-sprzedaz-konsol-do-gier-xbox/
