Firma SK Hynix ogłosiła dziś, że planuje zwiększyć moce produkcyjne pamięci DRAM nowej generacji, w tym HBM, stanowiącej podstawowy element infrastruktury sztucznej inteligencji, w odpowiedzi na szybko rosnący popyt na półprzewodniki AI.
Po zatwierdzeniu planu przez radę dyrektorów, firma zbuduje fabrykę M15X w Cheongju, w prowincji North Chungcheong, dla nowej bazy produkcyjnej DRAM i zainwestuje około 5,3 biliona wonów (3,86 mld USD) w budowę fabryki.
Wliczając w to planowany stopniowy wzrost inwestycji w sprzęt, łączna wartość inwestycji w nową bazę produkcyjną ma wynieść ponad 20 bilionów wonów w perspektywie długoterminowej, podała firma SK Hynix w oświadczeniu.
Firma planuje produkować nowe pamięci DRAM z M15X w Cheongju przed ukończeniem pierwszej fabryki w Yongin Semiconductor Cluster w pierwszej połowie 2027 roku. Znajdujący się w pobliżu M15, który rozszerza możliwości TSV1, M15X jest najlepiej przystosowany do optymalizacji produkcji HBM. Oddzielnie, SK hynix będzie kontynuował inne krajowe inwestycje, w tym Yongin Semiconductor Cluster, gdzie zgodnie z planem przeznaczy około 120 bilionów wonów.
“Przekształcając się w kluczowy zakład dostarczający światu pamięci AI, M15X odegra kluczową rolę jako kamień milowy łączący teraźniejszość i przyszłość firmy – powiedział Kwak Noh-Jung, prezes i dyrektor generalny SK hynix. – Jesteśmy przekonani, że ta inwestycja będzie gigantycznym skokiem, który wykroczy poza sektor prywatny i przyczyni się do przyszłości szerszej gospodarki krajowej”.
Dla całej SK Group, inwestycje SK hynix są głównym filarem, jeśli chodzi o ogólne inwestycje krajowe. Od momentu dołączenia do SK Group w 2012 roku, SK hynix zainwestował łącznie 46 bilionów wonów od 2014 roku w budowę trzech nowych fabryk – M14 w Icheon, M15 w Cheongju w 2018 roku i M16 w Icheon w 2021 roku.
