Strona w budowie, zapraszamy wkrótce...

Zapraszamy już za:

[wpdevart_countdown text_for_day="Dni" text_for_hour="Godzin" text_for_minut="Minut" text_for_second="Sekund" countdown_end_type="date" font_color="#000000" hide_on_mobile="show" redirect_url="" end_date="21-09-2020 12:00" start_time="1600339301" end_time="0,1,1" action_end_time="hide" content_position="center" top_ditance="10" bottom_distance="10" ][/wpdevart_countdown]

Strona w budowie, zapraszamy wkrótce...

Samsung zaprezentował nowe, superszybkie pamięci Shinebolt HBM3e

Koreański producent podczas corocznej konferencji w kalifornijskim San Jose podzielił się informacjami na temat swoich pamięci piątej generacji HBM3e, które otrzymały nazwę kodową Shinebolt. Od poprzedników z serii Icebolt będą o połowę szybsze i pojemniejsze.

Nowe pamięci mają się pojawić na rynku w 2024 roku (prawdopodobnie w drugiej połowie) i znajdą zastosowanie przede wszystkim do obliczeń związanych ze sztuczną inteligencją. Obecnie wąskim gardłem w przypadku układów przeznaczonych do uczenia maszynowego, w tym popularnych w ostatnim czasie dużych modeli obliczeniowych (LLM), są właśnie pojemność i szybkość transferu danych. Z tego powodu układy HBM3e powinny znaleźć zainteresowanie wśród firm specjalizujących się w tego typu rozwiązaniach. Maksymalną pojemność zwiększono do 36 GB. Układy Shinebolt zapewnią 9,8 Gbps na pin i maksymalną przepustowość 1,225 TB/s na stos, co sprawia, że obecnie są to najszybsze pamięci na rynku, zostawiając w tyle konkurencyjne układy Microna i SK Hynix.

 

 

Jeśli chodzi o zużycie energii, to nowe układy będą zużywały 10% mniej energii w przeliczeniu na bit, jednak biorąc pod uwagę rosnące prędkości przesyłu danych, możemy się spodziewać, że Shinebolt koniec końców będzie zużywał więcej energii niż poprzednia generacja. Według Samsunga, aby układy były bardziej energooszczędne, konieczne będą nie tylko ulepszenia związane z inżynierią materiałową, ale także poprawki w samej architekturze: w szczególności chodzi o wprowadzenie 2048-bitowej szyny danych, co oznacza podwojenie dostępnej przestrzeni adresowej. Takie zmiany jednak będą możliwe dopiero po opracowaniu standardu HBM4, co oznacza, że produktów opartych na tej technologii możemy spodziewać się dopiero za dwa lata.

Podczas wydarzenia Samsunga dowiedzieliśmy się też sporo na temat nowych pamięci GDDR7. Nowa generacja, która została ogłoszona w lipcu, zapewni aż o 33% wyższą (do 32 Gbps) przepustowość od obecnie dostępnych na rynku kości GDDR6. Także i w tym wypadku Samsung stara się ograniczyć zużycie energii, co nie jest łatwe — przy wzroście przepustowości powinniśmy liczyć się ze wzrostem zapotrzebowania na energię potrzebną do działania układu o około 7%, co i tak sprawia, że są dużo bardziej efektywne energetycznie. Ponadto pamięci GDDR7 będą też zużywały o połowę mniej energii w trybie czuwania, co ograniczy zużycie energii kiedy zapotrzebowanie na moc obliczeniową będzie mniejsze. Niestety nie poznaliśmy informacji, kiedy ruszy produkcja nowych kości, ale podobnie jak w przypadku HBM4, powinniśmy nastawiać się na 2025 rok.

 

Inspirujące i innowacyjne spotkanie z partnerami! Samsung Channel Meeting 2023 – poznaliśmy najlepsze firmy partnerskie dywizji Mobile! | ITReseller

Dodaj komentarz

Proszę wpisać swój komentarz!
Proszę podać swoje imię tutaj

POLECANE

3,272FaniLubię
10,608ObserwującyObserwuj
1,570SubskrybującySubskrybuj

NOWE WYDANIE

POLECANE

NAJNOWSZE