Samsungowi udało się ustabilizować wydajność dla swojego procesu 4 nm, jednak bardziej zaawansowane węzły, takie jak procesy 3 nm i 2 nm drugiej generacji, nadal stanowią problem.
Według raportu The Korea Times wydajność 3-nanometrowego procesu Samsunga utrzymywała się na poziomie jednocyfrowym do pierwszego kwartału tego roku, co powodowało opóźnienia w dostarczaniu próbek inżynieryjnych do chipsetów Exynos 2500.
W tym samym raporcie zauważono, że lokalni analitycy szacują, że wydajność Samsunga dla jego 3-nanometrowego procesu wzrosła do około 20% w drugim kwartale. Pomimo tego postępu wskaźnik wydajności jest nadal znacznie niższy od progu 60%, który jest ogólnie wymagany do produkcji masowej, co stwarza firmie wyzwania w zakresie pozyskiwania zamówień na odlewnię.
Odpowiadając niejako na tę sytuację, Samsung najwyraźniej zmienił strategię dotyczącą swojego najnowszego zakładu, fabryki P4 w Pyeongtaek w prowincji Gyeonggi. Zamiast początkowo instalować sprzęt dla NAND, a następnie przechodzić do produktów odlewniczych, Samsung obecnie priorytetowo traktuje zaawansowaną produkcję pamięci DRAM, taką jak układy pamięci o dużej przepustowości (HBM). Źródła branżowe cytowane przez The Korea Times sugerują, że ta zmiana wynika ze słabego popytu na usługi odlewnicze.
Coraz częściej pojawiają się spekulacje, że Samsung może nawet przeznaczyć całą fabrykę P4 na produkcję układów pamięci, co jest spowodowane stałym popytem na HBM i inne zaawansowane typy pamięci używane w serwerach AI. Te okoliczności rzucają z kolei cień na inwestycję Samsunga w zakład w Taylor w Teksasie. Firma pierwotnie planowała rozpocząć tam masową produkcję układów 4-nanometrowych w przyszłym roku, ale teraz przesunięto rozpoczęcie na 2026 rok. Chociaż wydajność procesu 4 nm jest podobno stabilna, Samsung nadal ma problemy z pozyskiwaniem zamówień od firm fabless.
Opisywana wyżej sytuacja doprowadziła do przypuszczeń, że Samsung skupi się na bardziej zaawansowanych układach 2-nanometrowych zamiast 4-nanometrowych, aby przyciągnąć zamówienia na produkty nowej generacji. Jednak raporty wskazują, że firma ma również problemy z osiągnięciem wysokiej wydajności zarówno dla procesów 2 nm, jak i 3 nm. Niska wydajność była kluczowym czynnikiem stojącym za ciągłymi problemami Samsunga w jego działalności odlewniczej, według branżowych insiderów cytowanych przez The Korea Times.
