Jak podano 19 czerwca, firma Micron rozbudowuje swoje zaplecze badawczo-rozwojowe związane z HBM w swojej siedzibie głównej w Boise w stanie Idaho, które obejmuje linie produkcyjne i weryfikacyjne.
Według raportu Nikkei, powołującego się na źródła, gigant pamięci Micron Technology buduje pilotażową linię produkcyjną zaawansowanej pamięci o dużej przepustowości (HBM) w Stanach Zjednoczonych i rozważa produkcję HBM po raz pierwszy w Malezji, aby pozyskać większy popyt.
We wspomnianym doniesieniu wskazano ponadto, że największy zakład produkcyjny HBM firmy Micron znajduje się w Taichung na Tajwanie, gdzie również trwają prace rozwojowe.
Mówi się, że Micron postawił sobie za cel potrojenie swojego udziału w rynku HBM do 24–26% do końca 2025 r., co zbliżyłoby go do tradycyjnego udziału w rynku pamięci DRAM wynoszącego około 23–25%.
Na początku tego miesiąca raport japońskich mediów The Daily Industrial News wskazał również, że firma Micron planuje zbudować nową fabrykę pamięci DRAM w Hiroszimie, której rozpoczęcie budowy zaplanowano na początek 2026 r., a którego celem jest ukończenie budynków fabryki i wykonanie pierwszych narzędzi przez koniec 2027 roku.
Według doniesień Micron wraz z SK Hynix otrzymały certyfikat od firmy NVIDIA na produkcję HBM3e dla układu AI „H200”. Firma Samsung Electronics nie uzyskała jeszcze zgody firmy NVIDIA; jego mniej zaawansowane HBM3 i HBM2e są obecnie dostarczane głównie do AMD, Google i Amazon.
