Samsung, po początkowych trudnościach z masową produkcją w procesie 4 nm, podejmuje zintensyfikowane badania nad procesem 3 nm.
Według najnowszego raportu koreański producent prowadzi badania nad litografią 3 nm GAA. Jak donosi DigiTimes, postępy Samsunga w zakresie technologii 3 nm GAA nie są szczególnie szybkie, a przynajmniej nie były takie dotychczas. Koreański gigant skupiał się dotychczas na procesie 4 nm, który został wykorzystany do realizacji zamówień na Snapdragon 8 Gen 1 firmy Qualcomm. Wówczas wydajność produkcji na poziomie około 35 procent. To, niestety dla Samsunga, niezbyt wysoki uzysk. TSMC, średnio uzyskuje wynik 70 procent, co wyjaśniałoby, dlaczego Qualcomm przekazał swoje zamówienia Snapdragon 8 Gen 1 i Snapdragon 8 Gen 1 Plus tajwańskiej firmie.
Proces 3 nm drugiej generacji Samsunga będzie gotowy dla klientów w przyszłym roku, ale jeśli wskaźnik wydajności produkcyjnej nie wzrośnie, Qualcomm nie będzie miał innego wyjścia, jak trzymać się TSMC w przypadku następcy Snapdragona 8 Gen 1. Digitimes podaje, że proces 3 nm GAA Samsunga zostanie najpierw zaadaptowany do masowej produkcji własnych układów scalonych firmy, co może odnosić się zarówno do nowej linii układów Exynos, jak i pamięci DRAM lub NAND.
Niewykluczone zresztą, że TSMC doświadczy tych samych problemów, co Samsung, przechodząc na technologię tranzystorową GAA. Z pewnością Tajwańczycy lepiej poradzili sobie z układami w procesie 4 nm, które możemy już obserwować na rynku. Dobrym przykladem SoC wykonanego w technologii 4 nm TSMC jest czołowy układ MediaTeka, Dimensity 9000. Aktualnie jest to prawdopodobnie najlepszy smartfonowy SoC.
