Rynek pamięci DRAM pozostaje wysoce skoncentrowany, obecnie zdominowany przez kluczowych graczy, takich jak Samsung Electronics, SK Hynix i Micron Technology, posiadających łącznie ponad 96% całego udziału w rynku.
SK Hynix podzielił się na targach VLSI 2024 swoim najnowszym przełomem w dziedzinie pamięci 3D DRAM, ogłaszając, że wydajność produkcyjna jej 5-warstwowej pamięci DRAM 3D osiągnęła 56,1%.
Jak podaje raport koreańskiego serwisu medialnego Business Korea oznacza to, że z około 1000 jednostek 3D DRAM wyprodukowanych na jednej płytce testowej pomyślnie wyprodukowano około 561 funkcjonalnych urządzeń.
Eksperymentalna pamięć 3D DRAM wykazuje cechy podobne do obecnie stosowanej pamięci 2D DRAM, a SK Hynix po raz pierwszy ujawniło konkretne liczby i cechy charakterystyczne swojego rozwoju pamięci 3D DRAM. Jednakże SK Hynix zauważyło również, że chociaż pamięć 3D DRAM ma ogromny potencjał, zanim będzie można ją skomercjalizować, konieczne są jeszcze znaczne prace rozwojowe.
Gigant pamięci podkreślił również podobno, że w przeciwieństwie do stabilnej pracy 2D DRAM, 3D DRAM wykazuje niestabilną charakterystykę wydajności, a do powszechnego stosowania konieczne jest układanie od 32 do 192 warstw komórek pamięci.
3D DRAM to także kluczowy obszar rozwoju dla innych głównych producentów pamięci, takich jak Samsung Electronics i Micron. Firma Samsung Electronics z powodzeniem ułożyła 3D DRAM w maksymalnie 16 warstwach i planuje masową produkcję 3D DRAM około 2030 r.
Firma Micron posiada obecnie 30 patentów związanych z 3D DRAM i jeśli nastąpi przełom w technologii 3D DRAM, może produkować lepsze produkty DRAM niż istniejące bez konieczności stosowania sprzętu EUV.
