Strona w budowie, zapraszamy wkrótce...

Zapraszamy już za:

[wpdevart_countdown text_for_day="Dni" text_for_hour="Godzin" text_for_minut="Minut" text_for_second="Sekund" countdown_end_type="date" font_color="#000000" hide_on_mobile="show" redirect_url="" end_date="21-09-2020 12:00" start_time="1600339301" end_time="0,1,1" action_end_time="hide" content_position="center" top_ditance="10" bottom_distance="10" ][/wpdevart_countdown]

Strona w budowie, zapraszamy wkrótce...

TSMC inwestuje 19,5 miliarda dolarów w budowę fabryki przygotowanej do produkcji układów wytwarzanych w litografii 3 nm.

TSMC rozpoczęło budowę fabryki układów 3 nm, która ma rozpocząć produkcję w 2023 r. Tajwański producent mikroukładów nabył 30 hektarów ziemi pod budowę zakładu. Firma wytwarza mikroukłady m.in. dla AMD.

Teren znajduje się w południowo-tajwańskim parku naukowo-technologicznym, w którym TSMC już teraz zatrudnia ponad 10 000 osób. Lokalizacja znajduje się w tym samym miejscu, co powstająca od 2017 roku fabryka TSMC przeznaczona do produkcji układów 5 nm. Podczas pierwszego ogłoszenia informacji o budowie tamtej fabryki w 2016 r. podano, że rozpocznie ona działalność w 2022 r. Tajwańczycy przyspieszyli jednak powstawanie obiektu. Na początku tego roku C.C. Wei, CEO TSMC, powiedział, że rozwój 3nm „idzie dobrze” i że angażuje on pierwszych klientów w zakresie definicji technologii.

TSMC pracuje obecnie nad doprowadzeniem swojego procesu technologicznego 5 nm do gotowości do produkcji seryjnej w pierwszej połowie 2020 r. Fabryka dla tych układów jest już bliska ukończenia. Na początku 2018 r. TSMC rozpoczęło prace nad Fab 18 do produkcji 5 nm. Fab 18 ma powierzchnię 42 hektarów, 160 000 metrów kwadratowych powierzchni. Ma zostać ukończona w 2021 roku i zatrudni 4000 osób.

W czwartek Intel zapowiedział, że planuje premierę układów 7 nm na czwarty kwartał 2021 roku. Rzecz dotyczy nie tylko CPU, ale też GPU (także tych dla centrów danych). Może to oznaczać, że procesy technologiczne 5nm Intela i 3nm TSMC pojawią się w tym samym czasie, w 2023 r. Samsung planuje rozpocząć własną produkcję 3 nm w 2021 r. w oparciu o technologię gate-all-around (GAA), chociaż jego gęstość nie będzie tak wysoka jak 3 nm TSMC.

https://itreseller.com.pl/itrnewnowa-mikroarchitektura-dla-procesorow-atom-rdzenie-intel-tremont-sa-skladowa-ukladow-lakefield-czerpiacych-niewiele-energii-elektrycznej-procesorow-nowej-generacji/

Dodaj komentarz

Proszę wpisać swój komentarz!
Proszę podać swoje imię tutaj

POLECANE

3,272FaniLubię
10,608ObserwującyObserwuj
1,570SubskrybującySubskrybuj

NOWE WYDANIE

POLECANE

NAJNOWSZE