Dostosuj preferencje dotyczące zgody

Używamy plików cookie, aby pomóc użytkownikom w sprawnej nawigacji i wykonywaniu określonych funkcji. Szczegółowe informacje na temat wszystkich plików cookie odpowiadających poszczególnym kategoriom zgody znajdują się poniżej.

Pliki cookie sklasyfikowane jako „niezbędne” są przechowywane w przeglądarce użytkownika, ponieważ są niezbędne do włączenia podstawowych funkcji witryny.... 

Zawsze aktywne

Niezbędne pliki cookie mają kluczowe znaczenie dla podstawowych funkcji witryny i witryna nie będzie działać w zamierzony sposób bez nich.Te pliki cookie nie przechowują żadnych danych umożliwiających identyfikację osoby.

Brak plików cookie do wyświetlenia.

Funkcjonalne pliki cookie pomagają wykonywać pewne funkcje, takie jak udostępnianie zawartości witryny na platformach mediów społecznościowych, zbieranie informacji zwrotnych i inne funkcje stron trzecich.

Brak plików cookie do wyświetlenia.

Analityczne pliki cookie służą do zrozumienia, w jaki sposób użytkownicy wchodzą w interakcję z witryną. Te pliki cookie pomagają dostarczać informacje o metrykach liczby odwiedzających, współczynniku odrzuceń, źródle ruchu itp.

Brak plików cookie do wyświetlenia.

Wydajnościowe pliki cookie służą do zrozumienia i analizy kluczowych wskaźników wydajności witryny, co pomaga zapewnić lepsze wrażenia użytkownika dla odwiedzających.

Brak plików cookie do wyświetlenia.

Reklamowe pliki cookie służą do dostarczania użytkownikom spersonalizowanych reklam w oparciu o strony, które odwiedzili wcześniej, oraz do analizowania skuteczności kampanii reklamowej.

Brak plików cookie do wyświetlenia.

Tape-out Samsung HBM Gen 6 ma nastąpić pod koniec roku

“Tape-out” jest ostatnim etapem projektowania układu scalonego i polega na tym, że firma wysyła projekt do odlewni układów scalonych, swojego partnera, który wyprodukuje układ.

Samsung przygotowuje się do tego etapu w tworzeniu pamięci o dużej przepustowości (HBM) Gen 6, który ma nastąpić pod koniec roku, jak donosi TheElec.

Po tym etapie próbka HBM4 pojawi się na początku przyszłego roku, a komercyjna produkcja masowa rozpocznie się pod koniec 2025 roku. Na prototyp układu scalonego trzeba czekać zwykle trzy do czterech miesięcy.

Oczekuje się, że Samsung wprowadzi zmiany w projekcie i udoskonali etapy procesu po przejrzeniu próbki.

SK Hynix również planuje rozpocząć produkcję swojego HBM4 pod koniec przyszłego roku. Zarówno Samsung, jak i SK Hynix planują wykorzystać odlewnię do wykonania układu logicznego na układzie scalonym, zamiast korzystać z własnego procesu DRAM, jak miało to miejsce w przypadku układów HBM poprzedniej generacji.

Samsung wykorzysta własny proces 4 nm dla układu logicznego, podczas gdy SK Hynix wykorzysta procesy 5 nm i 12 nm TSMC dla swoich. Samsung planuje użyć Gen 6 10 nm (1c) DRAM jako rdzenia pamięci HBM, podczas gdy SK Hynix rozważa, czy użyć 1c DRAM jak Samsung, czy Gen 5 10 nm (1b) DRAM.