“Tape-out” jest ostatnim etapem projektowania układu scalonego i polega na tym, że firma wysyła projekt do odlewni układów scalonych, swojego partnera, który wyprodukuje układ.
Samsung przygotowuje się do tego etapu w tworzeniu pamięci o dużej przepustowości (HBM) Gen 6, który ma nastąpić pod koniec roku, jak donosi TheElec.
Po tym etapie próbka HBM4 pojawi się na początku przyszłego roku, a komercyjna produkcja masowa rozpocznie się pod koniec 2025 roku. Na prototyp układu scalonego trzeba czekać zwykle trzy do czterech miesięcy.
Oczekuje się, że Samsung wprowadzi zmiany w projekcie i udoskonali etapy procesu po przejrzeniu próbki.
SK Hynix również planuje rozpocząć produkcję swojego HBM4 pod koniec przyszłego roku. Zarówno Samsung, jak i SK Hynix planują wykorzystać odlewnię do wykonania układu logicznego na układzie scalonym, zamiast korzystać z własnego procesu DRAM, jak miało to miejsce w przypadku układów HBM poprzedniej generacji.
Samsung wykorzysta własny proces 4 nm dla układu logicznego, podczas gdy SK Hynix wykorzysta procesy 5 nm i 12 nm TSMC dla swoich. Samsung planuje użyć Gen 6 10 nm (1c) DRAM jako rdzenia pamięci HBM, podczas gdy SK Hynix rozważa, czy użyć 1c DRAM jak Samsung, czy Gen 5 10 nm (1b) DRAM.
