SK Hynix brał udział w IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), podczas którego firma podzieliła się swoją wizją średniookresowych i długoterminowych celów technologicznych.
SK Hynix uważa, że może nadal zwiększać pojemność swoich chipów 3D NAND, zwiększając liczbę warstw – aż do 600. Ponadto firma jest przekonana, że może skalować technologie DRAM poniżej 10 nm za pomocą litografii EUV (ekstremalny ultrafiolet). Ostatecznie SK Hynix chce połączyć pamięć i logikę w jednym urządzeniu, aby sprostać pojawiającym się obciążeniom.
„Ulepszamy materiały i konstrukcje projektowe pod kątem ewolucji technicznej w każdej dziedzinie pamięci DRAM i NAND oraz krok po kroku rozwiązujemy problemy z niezawodnością” – powiedział Seok-Hee Lee, dyrektor generalny SK Hynix – „Jeśli ta platforma zostanie pomyślnie wprowadzona, możliwe jest osiągnięcie procesu DRAM poniżej 10 nm i ułożenie ponad 600 warstw NAND w przyszłości”.
Olbrzymia zaletą 3D NAND jest właśnie skalowalność dzięki warstwowej budowie. W grudniu roku firma SK Hynix wprowadziła 176-warstwową pamięć NAND 3D „4D” 1,60 Gbps. Firma rozpoczęła już tworzenie sampli kości 512 GB 176-warstwowych na potrzeby producentów kontrolerów SSD. Zwiększając liczbę warstw trzeba będzie też stale zmniejszać ich grubość, czyli de facto zmniejszać komórki NAND. Do tego trzeba naprawdę zaawansowanej technologii produkcyjnej, dlatego nie powinno dziwić, że SK Hynix nawet nie zasugerował, kiedy branża powinna spodziewać się 3D NAND z ponad 600 warstwami.
W kwestii produkcji SK Hynix podziela podejście Samsunga, wskazując, że litografia EUV będzie w najbliższym czasie najbardziej efektywnym sposobem na ulepszanie produkcji pamięci, a w efekcie zwiększanie wydajności tejże. Aby z powodzeniem wdrożyć produkcję EUV, firma SK Hynix opracowuje nowe materiały i fotomaski do stabilnego tworzenia wzorów EUV. Ponadto firma stara się unowocześnić strukturę ogniwa przy jednoczesnym zachowaniu pojemności poprzez zastosowanie cieńszych dielektryków wykonanych z materiałów o wysokiej stałej dielektrycznej. Docelowo SK Hynix zapowiada pamięci wytwarzane w procesie poniżej 10 nm.
https://itreseller.com.pl/itrnewjeden-z-partnerow-amd-powercolor-potwierdzil-istnienie-karty-graficznej-radeon-rx-6700-z-6-gb-gddr6-pamieci/
