Firma SK hynix właśnie zaprezentowała najbardziej warstwową technologię NAND w branży z 321-warstwową konstrukcją TLC o pojemności do 1 Tb.
Firma przedstawiła prezentację na temat postępów w rozwoju swojej 321-warstwowej pamięci flash 1 TB TLC 4D NAND i zaprezentowała próbki na konferencji Flash Memory Summit (FMS) 2023, która odbyła się w dniach 8-10 sierpnia w Santa Clara. SK hynix jest pierwszą firmą w branży, która szczegółowo przedstawia postępy w rozwoju NAND z ponad 300 warstwami. Firma planuje podnieść poziom kompletacji 321-warstwowego produktu i rozpocząć masową produkcję w pierwszej połowie 2025 roku.
Firma stwierdziła, że drogę do tego osiągnięcia utorował jej rozwój 238-warstwowej pamięci NAND, będącej już w masowej produkcji. „Dzięki kolejnemu przełomowi w usuwaniu ograniczeń w układaniu w stosy, SK hynix otworzy erę NAND z ponad 300 warstwami i stanie się liderem rynku”.
321-warstwowa pamięć TLC NAND 1 Tb zapewnia wzrost efektywności o 59% w porównaniu z wcześniejszą generacją 238-warstwowych pamięci 512 Gb, dzięki rozwojowi technologii, który umożliwił układanie większej liczby komórek i większą pojemność pamięci masowej na jednym układzie, co oznacza zwiększono całkowitą pojemność, jaką można wyprodukować na jednym waflu. Efektem będzie tańsza produkcja pamięci o większej pojemności.
