SK hynix, trzeci co do wielkości producent chipów pamięci na świecie, oświadczył w piątek, że przedstawił technologie i produkty pamięci nowej generacji na konferencji IT w USA.
Jak podaje “Korea Herald”, koreański gigant technologiczny poinformował, że dołączył do wydarzenia HPE Discover 2023 organizowanego przez firmę Hewlett Packard jako wystawca, prezentując swoje wiodące w branży rozwiązania pamięci dla centrów danych.
Doroczna konferencja odbywała się w Las Vegas przez trzy dni, począwszy od wtorku. SK poinformowało, że zaprezentowało PS1010 E3.S, wysokowydajny eSSD oparty na Peripheral Component Interconnect Express 1 Gen5, oraz DDR5 RDIMM, moduł DRAM dla serwerów zastosowany w procesie poniżej 13 nm. We wspólnej promocji z HPE firma SK poinformowała, że przetestowała możliwości obu produktów pod kątem Gen11, najnowszej gamy serwerów firmy gospodarza.
SK zaprezentowało także swoje najnowsze zaawansowane rozwiązania pamięciowe w salonie, w tym pamięć o dużej przepustowości 3, która ostatnio przyciągnęła uwagę wraz z rozwojem generatywnej sztucznej inteligencji. Ponadto pokazano również pamięć CXL3, technologię połączeń, która umożliwia wydajne skalowanie przepustowości i pojemności pamięci oraz PIM4, układ pamięci nowej generacji z możliwościami obliczeniowymi.
W ramach konferencji odbyły się również dwie inne prezentacje na temat trendów w technologii pamięci masowej SSD dla serwerów nowej generacji oraz tego, jak DDR5 ma stać się standardem dla pamięci DRAM nowej generacji w erze dużych zbiorów danych.
„Idąc dalej, planujemy nie tylko wzmocnić nasze partnerstwo z kluczowymi klientami, ale także zaprezentować nasze bezprecedensowe rozwiązania pamięci nowej generacji” – powiedział Kim Seok, szef strategii GSM w SK hynix.
Solidigm, spółka zależna SK hynix, również zaprezentowała swoje portfolio produktów, w tym dysk SSD oparty na PCIe Gen4 NVMe5.
Na konferencji SK zorganizowało sesję w celu omówienia roli i wizji rozwiązań pamięciowych w przyszłości. Wiceprezes SK hynix, Lim Eui-cheol z działu rozwoju rozwiązań, podkreślił również, w jaki sposób półprzewodniki PIM mogą zwiększyć wydajność wstępnie wyszkolonych transformatorów generatywnych, czyli GPT, podała firma.
