SK Hynix ogłosił opracowanie najszybszej na świecie mobilnej pamięci DRAM – LPDDR5T, inaczej zwanej Low Power Double Data Rate 5 Turbo. LPDDR5T pracuje z prędkością transferu 9,6 Gbps, czyli o 13% szybciej niż wprowadzone w listopadzie 2022 roku pamięci LPDDR5X.
Nowe moduły pamięci LPDDR5T są zgodne z ustalonym przez JEDEC zakresem ultraniskiego napięcia (1,01 do 1,12V) dla pamięci LPDDR5, zapewniając rozwiązanie szybkiej pamięci o niskim zużyciu energii.
Pamięć LPDDR5T korzysta z wielu najnowocześniejszych technologii, w tym HKMG 2 (High-K Metal Gate 2). Proces ten polega na izolowaniu folii wewnątrz tranzystorów DRAM za pomocą materiału o wysokiej stałej dielektrycznej. Zapobiega to wyciekowi prądu i poprawia pojemność, zmniejszając zużycie energii przez pamięć i zwiększając prędkość.
Klienci otrzymali próbki 16-gigabitowego (GB) pakietu wieloukładowego, który integruje wiele chipów LPDDR5T w jednym zestawie. Produkt ten charakteryzuje się szybkością transmisji danych na poziomie 77 GB/s, czyli mniej więcej tyle, co przeniesienie piętnastu filmów FHD (Full-HD) w ciągu jednej sekundy.
Wraz z rozwojem rynku smartfonów 5G, sektor IT przewiduje wzrost zapotrzebowania na układy pamięci o wyższych parametrach. SK Hynix spodziewa się, że LPDDR5T rozwinie się poza smartfony, trafiając do innych dziedzin, takich jak sztuczna inteligencja, uczenie maszynowe i AR/VR. SK Hynix planuje wprowadzenie pamięci LPDDR5T na rynek w drugiej połowie 2023 roku.
