Najnowsze pamięci Samsunga zostały zapowiedziane pierwotnie w połowie 2019 roku. Ich dopracowanie i przygotowanie do produkcji zajęło niemal pół roku. Teraz jednak moduły nazwane przez Samsunga “Flashbot” – czyli trzecia generacja HBM2E – wchodzą do produkcji. Ich przepustowości robią wrażenia.
Poprzednie pamięci tego typu, a więc HBM2 “Aquabot” sprawdziły się zarówno w kartach graficznych AMD, jak i w rozwiązaniach dla platform HPC. “Flashbot” różni się od poprzedniej generacji przede wszystkim pojemnościami i szybkościami. Kości te składają się z ośmiu, 16-gigabitowych warstw pamięci, co daje 16 GB pamięci na kość. W przypadku poprzedniej generacji było to 8 GB. Pamięć HBM2E budowana jest w litografii 10 nm Samsunga z wykorzystaniem mikrołączy TSV.
Pojedyncza kość 16 GB osiąga 410 GB/s (co jest nieco niższym wynikiem niż zapowiedziane w sierpniu 460 GB/s). To jednak nadal wyraźnie szybciej niż w przypadku poprzedniej generacji pamięci. Samsung podał także, że maksymalne transfery, jakie udało się uzyskać na nowych modułach to aż 4,2 Gb/s na jeden pin, czyli 538 GB/s łącznej przepustowości. Można więc oczekiwać, że przepustowość pamięci HBM2E będzie z czasem, wraz z dopracowywaniem ich produkcji, rosła.
Produkcja masowa ma ruszyć jeszcze w pierwszej połowie roku.
https://itreseller.com.pl/itrnewnagrywanie-w-4k-telefonem-to-juz-bylo-qualcomm-snapdragon-865-jest-w-stanie-przetwarzac-filmy-rejestrowane-w-8k/
