Samsung Electronics, największy na świecie producent układów pamięci, poinformował w czwartek, że rozpoczął masową produkcję 16-gigabitowej pamięci DDR5 DRAM, która wykorzystuje najbardziej zaawansowaną w branży technologię procesową klasy 12 nanometrów.
“Wykorzystując zróżnicowaną technologię procesową, wiodąca w branży pamięć DRAM DDR5 klasy 12 nm firmy Samsung zapewnia wyjątkową wydajność i energooszczędność” – powiedział Lee Joo-young, wiceprezes wykonawczy ds. produktów i technologii DRAM w Samsung Electronics.
“Nasza najnowsza pamięć DRAM odzwierciedla nasze nieustające zaangażowanie w rozwój wiodącej pozycji na rynku pamięci DRAM, nie tylko dzięki produktom o wysokiej wydajności i pojemności, które zaspokajają zapotrzebowanie rynku komputerowego na przetwarzanie na dużą skalę, ale także poprzez komercjalizację rozwiązań nowej generacji, które wspierają większą produktywność”.
W porównaniu z poprzednią generacją, nowa pamięć Samsung DDR5 DRAM klasy 12 nm zmniejsza zużycie energii nawet o 23 procent, jednocześnie zwiększając produktywność krzemową nawet o 20 procent.
Dzięki większej wydajności energetycznej i produktywności, pamięć DRAM zoptymalizuje obliczenia nowej generacji, w tym aplikacje sztucznej inteligencji, co sprawi, że nowy produkt będzie idealnym rozwiązaniem dla globalnych firm IT, które chcą zmniejszyć zużycie energii i ślad węglowy swoich serwerów i centrów danych, dodał Samsung.
Według giganta technologicznego, opracowanie technologii procesowej klasy 12 nm było możliwe dzięki zastosowaniu nowego materiału high-kappa, który pomaga zwiększyć pojemność komórek.
Wysoka pojemność powoduje znaczną różnicę potencjałów elektrycznych w sygnałach danych, co ułatwia ich dokładne rozróżnienie, powiedział Samsung. Firma dodała, że jej wysiłki zmierzające do obniżenia napięcia roboczego i zmniejszenia szumów również pomogły w dostarczeniu optymalnego rozwiązania.
Samsung zakończył ocenę 16-gigabitowej pamięci DDR5 DRAM pod kątem kompatybilności z AMD w grudniu ubiegłego roku i kontynuuje współpracę z globalnymi firmami IT w celu napędzania innowacji na rynku pamięci DRAM nowej generacji.
