Niedawno firma Samsung Electronics ogłosiła, że prace nad 8-nanometrową pamięcią eMRAM zostały prawie ukończone, a modernizacja procesów przebiega zgodnie z planem.
Według raportu konta WeChat DRAMeXchange, jako nowy rodzaj technologii pamięci nieulotnej opartej na zasadach magnetycznych, eMRAM należy do kategorii wbudowanej pamięci MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory).
W porównaniu z tradycyjną pamięcią DRAM, eMRAM oferuje większą prędkość dostępu i większą trwałość. W przeciwieństwie do pamięci DRAM nie wymaga odświeżania danych, a jej szybkość zapisu jest 1000 razy większa niż w przypadku NAND. Ze względu na te cechy branża pozytywnie ocenia potencjał eMRAM, szczególnie w scenariuszach wymagających wysokiej wydajności, efektywności energetycznej i trwałości.
Samsung Electronics jest jednym z głównych producentów pamięci eMRAM i specjalizuje się w promowaniu jej zastosowania w sektorze motoryzacyjnym. W 2019 roku firma Samsung opracowała i wyprodukowała masowo pierwszą w branży pamięć eMRAM opartą na 28 nm FD-SOI.
Po osiągnięciu zdolności produkcyjnej 28 nm eMRAM Samsung podobno planuje masową produkcję 14 nm eMRAM w 2024 r., 8 nm w 2026 r. i 5 nm w 2027 r.
Samsung jest przekonany co do zastosowania eMRAM w przyszłych zastosowaniach motoryzacyjnych, twierdząc, że tolerancja temperaturowa jego produktu osiągnęła 150-160°C, co może w pełni spełnić rygorystyczne wymagania przemysłu motoryzacyjnego dotyczące półprzewodników.
W ostatnich latach rozszerzanie zastosowań związanych z dużymi zbiorami danych i sztuczną inteligencją spowodowało ogromne zapotrzebowanie na pamięć i nałożyło wyższe wymagania na technologie pamięci. Na tym tle stale pojawiają się nowe technologie pamięci, wśród których przedstawicielem jest SCM (Storage Class Memory), która łączy w sobie wysoką prędkość odczytu i zapisu w pamięci DRAM z możliwością trwałej pamięci NAND flash, potencjalnie rozwiązując problemy małej pojemności, zmienność i wysoki koszt związany z pamięcią DRAM.
Kluczowe produkty SCM obejmują pamięć zmiennofazową (PCM), rezystancyjną pamięć RAM (ReRAM), magnetorezystancyjną pamięć RAM (MRAM) i nanorurkową pamięć RAM (NRAM). Oprócz Samsunga w tym roku energiczne działania na polu nowych pamięci wykazały także firmy takie jak Kioxia i ByteDance.
