Micron, jeden z największych producentów pamięci na świecie, poinformował, że dokonał kolejnych poprawek w procesie produkcji kości DRAM. Co więcej, zmiany nie mają charakteru laboratoryjnego, a produkcyjny.
Na masową skalę uruchomiono produkcję kości DRAM wytwarzanych w litografii nazwanej 1z. Jest to de facto 3 generacja procesu 10 nm Microna. Usprawnienie procesu przyniosło przede wszystkim zmniejszenie zapotrzebowania na energię elektryczną i zwiększoną pojemność modułów.
Kości DDR4 o pojemności 16 gigabitów nowej generacji odznaczają się wyraźnie wyższą efektywnością energetyczną niż dotychczasowe. Producent twierdzi, że jeden chip 16 Gb nowej generacji pobiera o 40% mniej energii niż odpowiadające u pojemnością dwa układy 8 Gb wytwarzane w procesie 1v nm (10 nm 2 generacji). Należy spodziewać się, że nowe kości trafią do modułów o pojemności 32 GB.
Wraz z kośćmi DDR4 z nowego procesu mają korzystać także układy LPDDR4X wytwarzane przez Microna. Oznacza to większą pojemność pamięci operacyjnej w urządzeniach mobilnych oraz, a może nawet przede wszystkim, wyraźne wydłużenie czasu pracy tychże. W oparciu o nowe moduły Micron przygotował dla producentów pakiety uMCP4, a więc zintegrowane jednym stosie pamięci DRAM, jak i przeznaczone na dane pamięci NAND. W porównaniu do poprzedniej generacji takich “paczek” pobór mocy ma być niższy o około 10 %.
Razem z pamięciami DDR4 ogłoszono również chipy LPDDR4X, tworzone w tym samym procesie i oferujące tę samą pojemność. Micron przygotowuje na ich bazie pakiety uMCP4, idealne do stosowania w cienkich urządzeniach przenośnych i smartfonach. W ramach takiej „paczki” w jednym stosie zintegrowane są zarówno pamięci DRAM, jak i NAND. Nowe zestawy mają oferować do 10 procent mniejszy pobór energii niż ich poprzednicy.
