Wygląda na to, że Intel i Samsung będą miały czas by dogonić dotychczasowego lidera “nanometrowego” wyścigu. Plotki płynące z tajwańskich źródeł w łańcuchu dostaw podsycają obawy, że harmonogram masowej produkcji TSMC w procesie 2 nm może zostać opóźniony z 2025 na 2026 r.
TechNews.tw, cytowany przez TrendForce, donosi, że budowa kluczowej dla planów firmy fabryki znanej jako Fab 20 „zaczęła zwalniać” .” Spowolnienie wynikać ma z faktu, że zarząd dostrzega słabszy popyt na rynku. Póki co, TSMC nie potwierdziło tych doniesień. Jeśli jednak okazałyby się prawdą, może to oznaczać niezwykle interesującą sytuację za nieco ponad 2 lata.
Pierwotne plany TSMC zakładały uruchomienie produkcji pilotażowej w 2024 r., a masową produkcję w procesie technologicznym 2 nm (TSMC N2) w drugiej połowie 2025 r. Miały się tym zająć trzy zakłady, w Hsinchu Baoshan (tzw. Dolina Krzemowa Tajwanu, na północy wyspy), w Taichung Zhongke (w centrum wyspy) i w Kaohsiung Nanzi (południe wyspy). Plany TSMC dotyczące Hsinchu wydają się kluczowe, ponieważ stanowi to serce jej działalności, obok centrum badawczo-rozwojowego. Z publikacji źródłowej wynika, że klienci TSMC wydają się być obecnie niechętni do składania dużych wiążących zamówień. Według doniesień, może to skłonić TSMC do spowolnienia prac i przełożenia pierwszych planów masowej produkcji w procesie 2 nm na rok 2026.
Kolejną wątpliwością dotyczącą przejścia TSMC z produkcji w klasie 3 nm na 2 nm jest to, że przejdzie ona również z architektury tranzystorowej FinFET na architekturę tranzystorową Gate-All-Around (GAA). Samsung przeskoczył już tę przeszkodę w swoim obecnym procesie technologicznym 3 nm, co nie było wcale łatwe. Owe spowolnienie w TSMC może być poważną korzyścią m.in. dla Samsunga właśnie.
